23948sdkhjf
Køb Køb adgang
  • {{ window.visitor.ipAccess.corporateClient.name }}

  • Velkommen til vores Storkunde-løsning

    Din IP er registreret hos ovenstående virksomhed, og giver dig adgang til Metal Supply.

  • Klik her for at gå til sign-up
  • {{ window.visitor.ipAccess.corporateClient.name }}

  • Velkommen til vores Storkunde-løsning

    Din IP er registreret hos ovenstående virksomhed, og giver dig adgang til Metal Supply.

  • Klik her for at gå til sign-up
Log ind eller opret for at gemme artikler
Få adgang til alt indhold på Metal Supply
Ingen binding eller kortoplysninger krævet
Prøv Metal Supply nu
Gælder kun personlig abonnement.
Kontakt os for en virksomhedsløsning.

600 V IGBT-transistorer optimeret til svejseapplikationer

International Rectifier (IR) introducerer en ny IR66xx serie af højtydende 600 V ultrahurtige “Trench-gate Field Stop" IGBT-transistorer (Insulated-Gate Bipolar Transistor).

De nye 600 V IGBT-transistorer er baseret på IR’s “Trench thin-wafer" teknologi for at opnå de lavest mulige lede- og switchingtab.

"De er co-pakkede med en soft-recovery diode med lav Qrr og er optimeret til ultrahurtig switching (8 kHz – 30 kHz) med en specificeret kortslutningsrating på 5 µsek. 600 V IGBT’erne har også en lav VCE(ON) spænding og en positiv temperaturkoefficient, der gør det let og uproblematisk at parallelkoble flere kredse", lyder det fra IR.

IR66xx IGBT-serien udmærker sig endvidere ved en høj switchingfrekvens, fortæller IR, en specificeret maksimum junction-temperatur på 175°C og en lav EMI for at give en forbedret pålidelighed, en højere systemeffektivitet og en robust transientperformance.

BREAKING
{{ article.headline }}
0.094